ICS 31.080.30 CCS L 44 团体 标准 T/CASAS 005—2025 代替 T/CASAS 005 —2022 氮化镓高电子迁移率晶体管（ GaN HEMT ） 动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法 Dynamic on -resistance test method for GaN high electron mobility transistor(HEMT):multi -pulse hard -switching technique 2025 - 12 - 30发布 2025 - 12 - 30实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/CASAS 005 —2025 I 目次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ...... II 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... III 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ...................... 1 4 测试原理 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 2 5 测试条件 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 6 测试装置 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 7 测试程序 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 测试方法 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 3 测试流程 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 5 8 数据记录和处理 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 6 9 试验报告 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 6 附录 A （资料性） GaN HEMT 电力电子器件动态导通测试记录表 ................................ ............... 7 参考文献 ................................ ................................ ................................ ................................ .............................. 8 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/CASAS 005 —2025 II 前言 本文件按照 GB/T 1.1 —2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替 T/CASAS 005 —2022《用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试 方法》（ 2022年9月16日发布）。 本文件与 /CASAS 005 —2022相比，除编辑性修改外主要技术差异如下： ——标准标题修改为“氮化镓高电子迁移率晶体管（ GaN HEMT ）动态导通电阻测试方法：多脉冲 硬开关法” ——引言补充了“本标准测试所涉及的硬开关电路，在原理上与现有国际标准 IEC 63373:2022 、 JEP173:2019 保持一致。但鉴于现有国际标准缺乏具体测试方案，本标准重点明确了测试方法与流程， 并推荐采用多脉冲预应力技术，以实现 GaN功率器件动态导通电阻的精准、稳定测量。” ——测试原理补充了“本标准测试电路也适用于电阻负载测试模式，此时可以认为负载电感值 L为 0。”相关说明文本。主要针对目前行业有普遍采用硬开关电阻负载模式进行 GaN功率器件动态导通电 阻测试的情况。 ——测试流程 （1）第一版中 “针对连续脉冲测试，连续脉冲单次测试时间（ 𝑡cp_s）宜在 100 μs～1 s，电压反偏应 力时间应在 50 ms以上，连续脉冲累计测试时间宜在 1 s～1 min，以取得稳定测试结果； ”调整为： “针对 连续脉冲测试，室温测试条件下，推荐连续脉冲单次测试时间（ 𝑡cp_s）宜在 100 μs～1 s，电压反偏应力 时间应在 50 ms以上，连续脉冲累计测试时间宜在 1 s～1 min，以取得稳定测试结果； ”。 （2）第一版中 “针对双脉冲测试，电压反偏应力时间应在 20 ms以上，双脉冲累计测试次数不低于 20次，以取得稳定测试结果； ”调整为： “针对双脉冲测试，室温测试条件下，推荐电压反偏应力时间应 在20 ms以上，双脉冲累计测试次数不低于 20次，以取得稳定测试结果； ”。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（ CASA）制定发布，版权归 CASA所有，未经 CASA 许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASA允许；任何单位或个人引用本 文件的内容需指明本文件的标准号。 本文件主要起草单位： 广东工业大学、工业和信息化部电子第五研究所、 江苏第三代半导体研究院 有限公司 、 佛山市联动科技股份有限公司、 英诺赛科 （珠海）