T-CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法

ICS 31.080.30 CCS L 44 团体标准 T/CASAS 021—2025 代替 T/CASAS 021 —2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET) 阈值电压测试方法 Threshold voltage test method for silicon carbide metal -oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFET) 2025 - 12 - 30发布 2025 - 12 - 30实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布全国团体标准信息平台全国团体标准信息平台 T/CASAS 021 —2025 I 目次前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ...... II 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... III 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ...................... 1 4 测试设备与要求 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 2 基本要求 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 2 设备要求 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 2 5 测试程序 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 4 双电压源扫描法 ................................ ................................ ................................ ................................ ....... 4 5.1.1 测试步骤 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 4 5.1.2 规定条件 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 5 单电压源扫描法 ................................ ................................ ................................ ................................ ....... 5 5.2.1 测试步骤 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 5 5.2.2 规定条件 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 6 电流源法 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 6 5.3.1 测试步骤 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 6 5.3.2 规定条件 ................................ ................................ ................................ ................................ ............ 7 6 测试结果与计量方法 ................................ ................................ ................................ ................................ ...... 7 电压源扫描法 ................................ ................................ ................................ ................................ ........... 7 电流源法 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 8 附录 A （资料性）常用导通电阻 RDS(on)与阈值电流 Ith推荐表 ................................ ..................... 9 附录 B （资料性）阈值电压测试记录表示例 ................................ ................................ ...